E = k * |Q|/R² – natężenie pola na powierzchni kuli [N/C]
V = k * Q/R – potencjał kuli [V]
C = Q / V – pojemność elektryczna [F]
E = U / d – natężenie pola między okładkami kondensatora [N/C]
C = (Є₀ * S) / d – pojemność kondensatora wypełnionego powietrzem [F]
C = (Є₀ * Є_r * S) / d – pojemność kondensatora wypełnionego dielektrykiem [F]
C = 4*π*R* Є0 – pojemność kuli [F]
C = C₁ + C₂ – pojemność zastępcza kondensatorów połączonych równolegle [F]
1/C = 1/C₁ + 1/C₂ – pojemność zastępcza kondensatorów połączonych szeregowo [F]
U = Q / C – napięcie między okładkami kondensatora [V]
Є = (Q * U) / 2 – energia naładowanego kondensatora [J]
F = E*q – siła działająca na cząsteczkę w polu elektrostatycznym [N]
a = (E*q) / m – przyspieszenie z jakim porusza się cząstka w polu elektrostatycznym [m/s²]
a = (U*q) / (m*d)
U = (m*v²) / 2q

H = gt_s² / 2 – wysokość, z której ciało spada
vB = gt_s = sqr(2*H*g) – szybkość spadającego ciała tuż przed uderzeniem w ziemię
vC = gt_s = sqr[2*(H-h)*g] – szybkość spadającego ciała na wysokości h
E_p = m*g*H – energia potencjalna
E_k = (m*v₀²) / 2 – energia kinetyczna
H = v₀² / 2g – wysokość maksymalna w rzucie pionowym
t_s = t_w = v₀² / g – czas wznoszenia = czas spadania
v_t = sqr[v₀² + (g*t)²] – prędkość wypadkowa w rzucie poziomym
x_max = v₀t = v₀ * sqr(2H / g) – zasięg w rzucie poziomym
t_s = v_0y / g = v₀ * sinα / g – czas spadania w rzucie ukośnym
x_max = v_0x * 2t_s = (v₀² * sin2α) / g – zasięg w rzucie ukośnym
p = m*v
s = (a*t²) / 2

1μF = 10^-6F
1pF = 10^-12F

g – przyspieszenie ziemskie
H – wysokość, z której ciało spada
t^_s – czas spadania
v^₀ – prędkość początkowa

E – natężenie pola
k – stała
Q, q – ładunek
R – promień kuli
V – potencjał
C – pojemność elektryczna
U – różnica potencjałów między okładkami
d – odległość między okładkami
m – masa
S – powierzchnia okładek

Pojemnością elektryczną przewodnika nazywamy stosunek ładunku wprowadzonego na ten

przewodnik do uzyskanego przez ten przewodnik potencjału. (C = Q / V)